3C-SiC Hetero-epitaxiALLy grown on silicon compliancE substrates and 3C-SiC substrates for sustaiNable wide-band-Gap powEr devices

Información del proyecto

CHALLENGE

Identificador del acuerdo de subvención: 720827

DOI 10.3030/720827

Proyecto cerrado

Fecha de la firma de la CE 9 Noviembre 2016

Fecha de inicio 1 Enero 2017

Fecha de finalización 30 Junio 2021

Financiado con arreglo a

• INDUSTRIAL LEADERSHIP - Leadership in enabling and industrial technologies - Advanced materials

Coste total € 8 048 322,50

Aportación de la UE € 7 997 822,50

Coordinado por

CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE
Italy