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Hierarchical self-assembly of electroactive supramolecular systems on pRe-patterned surfaces: multifunctional architectures for organic FETs

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Ottimi risultati da un progetto interdisciplinare

La ricerca su nuovi materiali conduttori su scala nanometrica ha ricevuto una spinta grazie agli ottimi sforzi dei partner del progetto Hesperus, ovvero stella della sera, finanziato dall'UE.

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Per secoli i marinai hanno navigato in vasti territori non presenti nelle mappe usando le stelle. Gli scienziati del progetto Hesperus, detto anche "stella della sera" o pianeta Venere, finanziato dall'UE, hanno continuato la ricerca, ma su una scala molto più piccola: la nanoscala. Obiettivo: sviluppare nuovi metodi per costruire e persino "far crescere" transistor di nuova generazione affidabili in grado di trasportare una carica attraverso diversi mezzi, da quelli metallici a quelli organici. Per sua natura questo ramo della scienza è interdisciplinare e comprende la ricerca su ingegneria elettrica, chimica, (supra)molecolare, nanoscienza, scienza dei materiali e fisica. Quindi lo scopo del progetto Hesperus, finanziato dall'azione Marie Curie "Intra-European fellowships for career development", era generare nuove conoscenze scientifiche e tecnologiche in questo complesso settore multidisciplinare. Nello specifico Hesperus ha considerato le nanostrutture modificate supramolecolarmente (SEN). I ricercatori hanno modificato i semiconduttori organici su misura per produrre nuovi tipi di transistor a effetto di campo (FET), noti per il loro buon funzionamento anche con segnali elettrici più deboli. I partner del progetto hanno studiato nuovi materiali e metodi per produrre FET dall'inizio alla fine con una connettività elettrica molto migliore in grado di trasportare più efficacemente una carica maggiore. Secondo i partner del progetto la tecnica di base sviluppata "consente di unire cristalli semiconduttori senza che si formino barriere di iniezione nei punti di connessione". I risultati del progetto, della durata di tre anni e che terminerà a metà del 2010, potrebbero contribuire a sforzi di più ampia portata per sviluppare transistor più veloci, piccoli e a bassa potenza per il fiorente settore dei microchip e dell'elettronica.

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