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Hierarchical self-assembly of electroactive supramolecular systems on pRe-patterned surfaces: multifunctional architectures for organic FETs

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Herausragende Ergebnisse eines fächerübergreifenden Projekts

Die Suche nach neuen leitenden Materialien im Nanomaßstab hat dank der herausragenden Bemühungen der Partner des EU-finanzierten Hesperus-Projekts Auftrieb erhalten.

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Hesperus ist nicht nur der Name dieses Projekts, sondern auch die Bezeichnung für den Abendstern, die Venus. Und wie die Seefahrer jahrhundertelang die Sterne zur Navigation in unbekannten Gewässern benutzten, so machten sich die Wissenschaftler des EU-finanzierten Hesperus-Projekts in viel kleinerem Maßstab daran, die Welt der Nanoteilchen zu erforschen. Das Ziel: Die Entwicklung neuer Wege zur Herstellung verlässlicher Transistoren der nächsten Generation, die eine Ladung durch verschiedene Medien (metallisch oder organisch) transportieren können. Dieser Teil der Wissenschaft ist von fächerübergreifender Natur und umfasst Forschungsarbeiten auf dem Gebiet der Elektrotechnik, der (supra)molekularen Chemie, den Nanowissenschaften, den Materialwissenschaften und der Physik. Ziel der Hesperus-Initiative, gefördert von der Marie-Curie-Maßnahme "Stipendien für europäische Forscher in Europa zur Laufbahnentwicklung", war die Schaffung neuen wissenschaftlichen und technologischen Wissens in diesem komplexen und multidisziplinären Bereich. Insbesondere untersuchte das Hesperus-Projekt sogenannte supramolekulare Nanostrukturen (Supramolecularly Engineered Nanostructures, SEN). Die Forscher griffen auf organische Halbleiter zurück und veränderten diese so, um neue Arten von Feldeffekttransistoren (FET) herzustellen, die nachgewiesenerweise selbst bei schwächeren elektrischen Signalen gut funktionieren. Die Projektpartner untersuchten neue Materialien und Methoden für die grundlegend neue Herstellung von FET mit deutlich besserer elektrischer Verbindung, die eine größere Ladungsmenge übertragen kann. Den Projektpartnern zufolge ermöglicht die von ihnen entwickelte Technologie die Überbrückung von Halbleiterkristallen ohne die Bildung von Injektionsbarrieren an den Verbindungspunkten. Die Ergebnisse des Projekts mit einer Dauer von zwei Jahren, das Mitte 2010 abgeschlossen wurde, können zu umfangreicheren Bemühungen führen, um schnellere und kleinere Transistoren mit niedriger Leistung für die aufstrebenden Bereiche der Mikrochips und der Elektronik zu entwickeln.

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