Nanonets2Sense

Informations projet

Nanonets2Sense

N° de convention de subvention: 688329

DOI

10.3030/688329

Projet clôturé

Date de signature de la CE 9 Octobre 2015

Date de début 1 Février 2016

Date de fin 31 Mars 2019

Financé au titre de

• INDUSTRIAL LEADERSHIP - Leadership in enabling and industrial technologies - Information and Communication Technologies (ICT)

Coût total

€ 2 195 000,00

Contribution de l’UE

€ 2 195 000,00

Coordonné par

INSTITUT POLYTECHNIQUE DE GRENOBLE
France

CORDIS fournit des liens vers les livrables publics et les publications des projets HORIZON.

Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Livrables

Documents, reports (2)

Report on dissemination activities during first reporting period

It will present all dissemination actions performed during the first period for the different targets.

Report on dissemination activities during second reporting period

It will present all dissemination actions performed during the second period for the different targets.

Websites, patent fillings, videos etc. (1)

Report on the Website structure

The project website will be an important tool for scientific project management, internal communication and project communication. It will include: • A Public area with dedicated parts for each target (Public, Scientifics, Policy Makers, …) • A Consortium area, where all relevant project documentation (such as scientific results, records of samples and masks, official documents, reports, drafts of publications, minutes of meetings) will be available. European Commission and reviewers will have access to specified pages of the Consortium area (such as Publications and Deliverables)

Publications

Peer reviewed articles (12)

Comprehensive study of hydrothermally grown ZnO nanowires

Auteurs: Thomas Demes, Céline Ternon, David Riassetto, Valérie Stambouli, Michel Langlet
Publié dans: Journal of Materials Science, Numéro 51/23, 2016, Page(s) 10652-10661, ISSN 0022-2461
Éditeur: Kluwer Academic Publishers
DOI: 10.1007/s10853-016-0287-8

Wafer-scale HfO 2 encapsulated silicon nanowire field effect transistor for efficient label-free DNA hybridization detection in dry environment

Auteurs: Ganesh Jayakumar, Maxime Legallais, Per-Erik Hellström, Mireille Mouis, Isabelle Pignot-Paintrand, Valérie Stambouli, Céline Ternon, Mikael Östling
Publié dans: Nanotechnology, Numéro 30/18, 2019, Page(s) 184002, ISSN 0957-4484
Éditeur: Institute of Physics Publishing
DOI: 10.1088/1361-6528/aaffa5

Pixel-based biosensor for enhanced control: silicon nanowires monolithically integrated with field-effect transistors in fully depleted silicon on insulator technology

Auteurs: G Jayakumar, M Östling
Publié dans: Nanotechnology, Numéro 30/22, 2019, Page(s) 225502, ISSN 0957-4484
Éditeur: Institute of Physics Publishing
DOI: 10.1088/1361-6528/ab0469

Utilizing the superior etch stop quality of HfO2 in the front end of line wafer scale integration of silicon nanowire biosensors

Auteurs: G. Jayakumar, P.-E. Hellström, M. Östling
Publié dans: Microelectronic Engineering, Numéro 212, 2019, Page(s) 13-20, ISSN 0167-9317
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.mee.2019.03.006

Monolithic Wafer Scale Integration of Silicon Nanoribbon Sensors with CMOS for Lab-on-Chip Application

Auteurs: Ganesh Jayakumar, Per-Erik Hellström, Mikael Östling
Publié dans: Micromachines, Numéro 9/11, 2018, Page(s) 544, ISSN 2072-666X
Éditeur: Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI)
DOI: 10.3390/mi9110544

First evidence of superiority of Si nanonet field effect transistors over multi-parallel Si nanowire ones in view of electrical DNA hybridization detection

Auteurs: Thi Thu Thuy Nguyen, Maxime Legallais, Fanny Morisot, Thibauld Cazimajou, Valérie Stambouli, Mireille Mouis, Bassem Salem, Céline Ternon
Publié dans: Materials Research Express, Numéro 6/1, 2019, Page(s) 016301, ISSN 2053-1591
Éditeur: IOP
DOI: 10.1088/2053-1591/aae0d5

Analytical expression of top surface charge sensitivity in fully depleted semiconductor on insulator MOS transistor

Auteurs: G. Ghibaudo, G. Pananakakis
Publié dans: Composants nanoélectroniques, Numéro 2/1, 2019, ISSN 2516-3914
Éditeur: ISTE
DOI: 10.21494/iste.op.2019.0347

Evaluation of Silicon Nanonet Field Effect Transistor as Photodiodes

Auteurs: Muhammed Kayaharman, Maxime Legallais, Celine Ternon, Sangtak Park, Bassem Salem, Mehrdad Irannejad, Eihab Abdel-Rahman, Mustafa Yavuz
Publié dans: Proceedings, Numéro 2/3, 2018, Page(s) 124, ISSN 2504-3900
Éditeur: MDPI
DOI: 10.3390/ecsa-4-04925

Optimizing Paste Formulation for Improving the Performances of CMOS-Based MOx Chemiresistors Prepared by Ink-Jet Printing

Auteurs: Claudio Zuliani, Lisa Jerg, Alison Hart, Wolfram Simmendinger, Malick Camara, Zeeshan Ali
Publié dans: Proceedings, Numéro 2/13, 2018, Page(s) 774, ISSN 2504-3900
Éditeur: MDPI
DOI: 10.3390/proceedings2130774

An innovative large scale integration of silicon nanowire-based field effect transistors

Auteurs: M. Legallais, T.T.T. Nguyen, M. Mouis, B. Salem, E. Robin, P. Chenevier, C. Ternon
Publié dans: Solid-State Electronics, Numéro 143, 2018, Page(s) 97-102, ISSN 0038-1101
Éditeur: Pergamon Press Ltd.
DOI: 10.1016/j.sse.2017.11.008

Electrical characteristics of silicon percolating nanonet-based field effect transistors in the presence of dispersion

Auteurs: T. Cazimajou, M. Legallais, M. Mouis, C. Ternon, B. Salem, G. Ghibaudo
Publié dans: Solid-State Electronics, Numéro 143, 2018, Page(s) 83-89, ISSN 0038-1101
Éditeur: Pergamon Press Ltd.
DOI: 10.1016/j.sse.2017.11.013

Mechanisms involved in the hydrothermal growth of ultra-thin and high aspect ratio ZnO nanowires

Auteurs: Thomas Demes, Céline Ternon, Fanny Morisot, David Riassetto, Maxime Legallais, Hervé Roussel, Michel Langlet
Publié dans: Applied Surface Science, Numéro 410, 2017, Page(s) 423-431, ISSN 0169-4332
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/j.apsusc.2017.03.086

Other (8)

Material Engineering of Percolating Silicon Nanowire Networks for Reliable and Efficient Electronic Devices

Auteurs: Maxime Legallais, Thi Thu Thuy Nguyen, Thibauld Cazimajou, Mireille Mouis, Bassem Salem and Céline Ternon
Publié dans: 2016
Éditeur: IOP

DNA grafting on silicon nanonets using an eco-friendly functionalization process based on epoxy silane

Auteurs: Demes-Causse, T and Morisot, F and Legallais, M and Calais, A and Pernot, E and Pignot-Paintrand, I and Ternon, C and Stambouli, V.
Publié dans: Materials Today, Proc, 2016
Éditeur: Elsevier

Fabrication et caractérisation de transistors à base de nanonet de silicium pour la détection électrique de l’ADN

Auteurs: Duc-Trung NGUYEN
Publié dans: 2018
Éditeur: à renseigner

Al2O3, Al doped ZnO and SnO2 encapsulation of randomly oriented ZnO nanowire networks for high performance and stable electrical devices

Auteurs: Morisot F., Nguyen V. H., Montemont C., Maindron T., Muñoz-Rojas D., Mouis M., Langlet M., Ternon C.
Publié dans: Nanotechnology, 2016
Éditeur: IOP

Monolithic fabrication of nano-to-millimeter scale integrated transistors based on transparent and flexible silicon nanonets.

Auteurs: Thi Thu Thuy Nguyen, Thibauld Cazimajou, Maxime Legallais, Tabassom Arjmand, Viet Huong Nguyen, Mireille Mouis, Bassem Salem, Eric Robin, and Céline Ternon
Publié dans: Nano Futures, 2016
Éditeur: IOP

ZnO based Nanowire Network for Gas Sensing Applications

Auteurs: Fanny MORISOT, Claudio ZULIANI, Joaquim LUQUE1, Zeeshan ALI, , Mireille MOUIS, Viet Huong NGUYEN, David MUNOZ-ROJAS, Oumayma LOURHZAL, Michael TEXIER, Thomas W. CORNELIUS, Celine TERNON
Publié dans: Material Research Express, 2016
Éditeur: IOP

Master thesis dissertation: Fonctionnalisation de nanonets de ZnO, pour la détection électrique d’ADN sans marquage, validée par détection de fluorescence

Auteurs: F. Morisot
Publié dans: 2016
Éditeur: Université Bourgogne-Franche Comté

Engineering level dissertation: Nanonets de ZnO pour la détection électrique d’acétone

Auteurs: F. Morisot
Publié dans: 2016
Éditeur: ESIREM Dijon

Thesis and dissertations (2)

Conception, étude et modélisation d’une nouvelle génération de transistors à nanofils de silicium pour applications biocapteurs

Auteurs: Maxime LEGALLAIS
Publié dans: Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2017, 2018
Éditeur: à renseigner

Croissance, assemblage et intégration collective de nanofils deZnO : Application à la biodétection

Auteurs: T. Demes
Publié dans: 2017
Éditeur: Communauté Université Grenoble Alpes

Conference proceedings (5)

Finite element simulation of 2D percolating silicon-nanonet field-effect transistor

Auteurs: T. Cazimajou, M. Mouis, G. Ghibaudo
Publié dans: 2018 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2018, Page(s) 1-3, ISBN 978-1-5386-4811-7
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/ulis.2018.8354760

Low Temperature Electrical Characteristics of Si Nanonet Field Effect Transistors

Auteurs: T Cazimajou, TTT Nguyen, M Legallais, M Mouis, CTernon, G Ghibaudo
Publié dans: Proceedings of EUROSOI-ULIS, 2019, 2019
Éditeur: IEEE

Low frequency noise characterization of Si Nanonet Field Effect Transistors

Auteurs: T Cazimajou, C Theodorou, M Mouis, TTT Nguyen, M Legallais, C Ternon and G Ghibaudo
Publié dans: Proceedings of ICNF 2019 (Neufchatel, Switzerland), 2019
Éditeur: IEEE

Toward the integration of Si nanonets into FETs for biosensing applications

Auteurs: M. Legallais, T. T. T. Nguyen, M. Mouis, B. Salem, C. Ternon
Publié dans: 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2017, Page(s) 231-234, ISBN 978-1-5090-5313-1
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/ULIS.2017.7962570

Electrical characterization of percolating silicon nanonet FETs for sensing applications

Auteurs: T. Cazimajou, M. Legallais, M. Mouis, C. Ternon, B. Salem, G. Ghibaudo
Publié dans: 2017 Joint International EUROSOI Workshop and International Conference on Ultimate Integration on Silicon (EUROSOI-ULIS), 2017, Page(s) 23-26, ISBN 978-1-5090-5313-1
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/ULIS.2017.7962591