3C-SiC Hetero-epitaxiALLy grown on silicon compliancE substrates and 3C-SiC substrates for sustaiNable wide-band-Gap powEr devices

Informazioni relative al progetto

CHALLENGE

ID dell’accordo di sovvenzione: 720827

DOI

10.3030/720827

Progetto chiuso

Data della firma CE 9 Novembre 2016

Data di avvio 1 Gennaio 2017

Data di completamento 30 Giugno 2021

Finanziato da

• INDUSTRIAL LEADERSHIP - Leadership in enabling and industrial technologies - Advanced materials

Costo totale

€ 8 048 322,50

Contributo UE

€ 7 997 822,50

Coordinato da

CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE
Italy