Descripción del proyecto
Transistores ultrafinos de altas prestaciones para superar las limitaciones del escalado en electrónica
La electrónica moderna afronta retos en el escalado de la tecnología de semiconductores, especialmente a medida que los dispositivos se acercan a tecnologías inferiores a 1 nm. Los semiconductores de cuerpo de espesor atómico (ATB, por sus siglas en inglés), como los dicalcogenuros de metales de transición, ofrecen una solución prometedora gracias a sus canales ultrafinos que permiten un control preciso del flujo de corriente eléctrica (control de compuerta). El equipo del proyecto ATOMS, financiado por el CEI, tiene previsto desarrollar transistores de efecto de campo (CFET, por sus siglas en inglés) complementarios a escala ultrarrápida utilizando semiconductores de ATB. Entre sus principales actividades figuran la creación de contactos eléctricos de baja resistencia, la optimización de las interfaces semiconductor/dieléctrico para una conmutación eficiente, la síntesis de semiconductores de ATB a escala de oblea y el ajuste de los voltajes umbral de los transistores de tipo n y p. Mediante el empleo de procesos compatibles con la industria, en ATOMS se pretende allanar el camino a la electrónica de alto rendimiento y bajo consumo, estableciendo los CFET como fundamentales para las tecnologías de semiconductores de próxima generación.
Objetivo
Atomically thin body (ATB) semiconductors such as transition metal dichalcogenides (TMDs) hold tremendous promise for scaling modern electronics because their ultra-thin channel provides excellent gate electrostatics. Major semiconductor companies and international roadmaps for devices and systems have cited ATB TMDs for sub-1-nm semiconductor technologies beyond 2030.
ATOMS will focus on developing ultra-scaled complementary field effect transistors (CFETs) based on ATB semiconductors, offering a transformative approach to address the scaling challenges of current semiconductor technology. The project aims to create ultra-short channel CFETs by optimising electrical contacts, developing ideal dielectrics, and integrating multiple pristine interfaces into the CFET structure.
Key objectives are the development of clean van der Waals contacts for low contact resistance and high ON state current, fabrication of ideal semiconductor/dielectric interfaces for efficient switching, and novel engineering methods to tune the threshold voltages of both n- and p-type FETs. Additionally, the project will focus on synthesis of wafer scale monolayer TMDs, and seamless integration of all these components to achieve high-performance CFETs.
By employing industry compatible fabrication processes, the ATOMS project aims to advance these technologies toward practical applications in next generation low-power electronics. This will position CFETs based on ATB semiconductors as a foundational technology for future electronic devices.
Ámbito científico (EuroSciVoc)
CORDIS clasifica los proyectos con EuroSciVoc, una taxonomía plurilingüe de ámbitos científicos, mediante un proceso semiautomático basado en técnicas de procesamiento del lenguaje natural. Véas: El vocabulario científico europeo..
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Programa(s)
Programas de financiación plurianuales que definen las prioridades de la UE en materia de investigación e innovación.
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HORIZON.1.1 - European Research Council (ERC)
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Tema(s)
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Las convocatorias de propuestas se dividen en temas. Un tema define una materia o área específica para la que los solicitantes pueden presentar propuestas. La descripción de un tema comprende su alcance específico y la repercusión prevista del proyecto financiado.
Régimen de financiación
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
Régimen de financiación (o «Tipo de acción») dentro de un programa con características comunes. Especifica: el alcance de lo que se financia; el porcentaje de reembolso; los criterios específicos de evaluación para optar a la financiación; y el uso de formas simplificadas de costes como los importes a tanto alzado.
HORIZON-ERC - HORIZON ERC Grants
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Convocatoria de propuestas
Procedimiento para invitar a los solicitantes a presentar propuestas de proyectos con el objetivo de obtener financiación de la UE.
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(se abrirá en una nueva ventana) ERC-2025-STG
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Aportación financiera neta de la UE. Es la suma de dinero que recibe el participante, deducida la aportación de la UE a su tercero vinculado. Considera la distribución de la aportación financiera de la UE entre los beneficiarios directos del proyecto y otros tipos de participantes, como los terceros participantes.
CB2 1TN CAMBRIDGE
Reino Unido
Los costes totales en que ha incurrido esta organización para participar en el proyecto, incluidos los costes directos e indirectos. Este importe es un subconjunto del presupuesto total del proyecto.