Descrizione del progetto
Transistor ultrasottili ad alte prestazioni per superare i limiti di scalabilità nell’elettronica
L’elettronica moderna deve affrontare sfide a livello di scalabilità della tecnologia dei semiconduttori, soprattutto quando i dispositivi si avvicinano a tecnologie inferiori a 1 nm. I semiconduttori a corpo atomicamente sottile (ATB, atomically thin body), come i dicalcogenuri di metalli di transizione, offrono una soluzione promettente in tal senso grazie ai loro canali ultrasottili, che consentono un controllo preciso del flusso di corrente elettrica (controllo del gate). Il progetto ATOMS, finanziato dal CER, prevede di sviluppare transistor complementari a effetto di campo (CFET, complementary field effect transistor) ultra scalati utilizzando semiconduttori ATB. Le attività principali comprendono la creazione di contatti elettrici a bassa resistenza, l’ottimizzazione delle interfacce semiconduttore-dielettrico per una commutazione efficiente, la sintesi di semiconduttori ATB su scala wafer e la messa a punto delle tensioni di soglia per transistor di tipo n e p. Utilizzando processi compatibili con l’industria, ATOMS intende aprire la strada all’elettronica ad alte prestazioni e a bassa potenza, affermando i CFET come soluzioni fondamentali per le tecnologie dei semiconduttori di prossima generazione.
Obiettivo
Atomically thin body (ATB) semiconductors such as transition metal dichalcogenides (TMDs) hold tremendous promise for scaling modern electronics because their ultra-thin channel provides excellent gate electrostatics. Major semiconductor companies and international roadmaps for devices and systems have cited ATB TMDs for sub-1-nm semiconductor technologies beyond 2030.
ATOMS will focus on developing ultra-scaled complementary field effect transistors (CFETs) based on ATB semiconductors, offering a transformative approach to address the scaling challenges of current semiconductor technology. The project aims to create ultra-short channel CFETs by optimising electrical contacts, developing ideal dielectrics, and integrating multiple pristine interfaces into the CFET structure.
Key objectives are the development of clean van der Waals contacts for low contact resistance and high ON state current, fabrication of ideal semiconductor/dielectric interfaces for efficient switching, and novel engineering methods to tune the threshold voltages of both n- and p-type FETs. Additionally, the project will focus on synthesis of wafer scale monolayer TMDs, and seamless integration of all these components to achieve high-performance CFETs.
By employing industry compatible fabrication processes, the ATOMS project aims to advance these technologies toward practical applications in next generation low-power electronics. This will position CFETs based on ATB semiconductors as a foundational technology for future electronic devices.
Campo scientifico (EuroSciVoc)
CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: Il Vocabolario Scientifico Europeo.
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Programma(i)
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
Programmi di finanziamento pluriennali che definiscono le priorità dell’UE in materia di ricerca e innovazione.
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HORIZON.1.1 - European Research Council (ERC)
PROGRAMMA PRINCIPALE
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Argomento(i)
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.
Meccanismo di finanziamento
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.
HORIZON-ERC - HORIZON ERC Grants
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Invito a presentare proposte
Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.
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(si apre in una nuova finestra) ERC-2025-STG
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Contributo finanziario netto dell’UE. La somma di denaro che il partecipante riceve, decurtata dal contributo dell’UE alla terza parte collegata. Tiene conto della distribuzione del contributo finanziario dell’UE tra i beneficiari diretti del progetto e altri tipi di partecipanti, come i partecipanti terzi.
CB2 1TN CAMBRIDGE
Regno Unito
I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.