2D-Pilot Line

Informations projet

2D-PL

N° de convention de subvention: 101189797

DOI

10.3030/101189797

Date de signature de la CE 8 Novembre 2024

Date de début 1 Octobre 2024

Date de fin 30 Septembre 2028

Financé au titre de

• Digital, Industry and Space

Coût total

€ 32 997 565,75

Contribution de l’UE

€ 32 997 565,75

Coordonné par

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM
Belgium

CORDIS fournit des liens vers les livrables publics et les publications des projets HORIZON.

Les liens vers les livrables et les publications des projets du 7e PC, ainsi que les liens vers certains types de résultats spécifiques tels que les jeux de données et les logiciels, sont récupérés dynamiquement sur OpenAIRE .

Publications

Peer reviewed articles (8)

Contact Resistance Optimization in MoS₂ Field-Effect Transistors through Reverse Sputtering-Induced Structural Modifications

Auteurs: Yuan Fa; Agata Piacentini; Bart Macco; Holger Kalisch; Michael Heuken; Andrei Vescan; Zhenxing Wang; Max C. Lemme
Publié dans: ACS Applied Materials & Interfaces, 2025, ISSN 1944-8252
Éditeur: American Chemical Society
DOI: 10.48550/ARXIV.2412.08663

Nanoscale spectroscopic investigation of impact of strain on field-effect mobility of WS₂

Auteurs: Fateme Yekefalah, Thomas Nuytten, Kaustuv Banerjee, Pawan Kumar, Benjamin Groven, Claudia Fleischmann, Ingrid De Wolf
Publié dans: Nanotechnology, Numéro 36, 2025, ISSN 0957-4484
Éditeur: IOP Publishing
DOI: 10.1088/1361-6528/ADDACC

Optimizing Graphene Ring Modulators: A Comparative Study of Straight, Bent, and Racetrack Geometries

Auteurs: Pawan Kumar Dubey; Ashraful Islam Raju; Rasuole Lukose; Christian Wenger; Mindaugas Lukosius
Publié dans: Nanomaterials, 2025, ISSN 2079-4991
Éditeur: MDPI
DOI: 10.3390/NANO15151158

Plasma-enhanced atomic layer deposition of Al2O3 on graphene via an in situ-deposited interlayer

Auteurs: Riazimehr, Sarah; Esteki, Ardeshir; Otto, Martin; Powell, Michael; Rinke, Gordon; Robertz, Bianca; Wang, Zhenxing; Lemme, Max C.; Hore, Katie; Knoops, Harm
Publié dans: Materials Science in Semiconductor Processing, 2025, ISSN 1873-4081
Éditeur: ELSEVIER SCI LTD
DOI: 10.2139/SSRN.5236560

Optimized silicon nitride-spaced graphene electro-optic modulator with high efficiency and bandwidth

Auteurs: Ashraful Islam Raju; Pawan Kumar Dubey; Rasuole Lukose; Christian Wenger; Andreas Mai; Mindaugas Lukosius
Publié dans: Optical and Quantum Electronics, 2025, ISSN 1572-817X
Éditeur: SPRINGER NATURE
DOI: 10.1007/S11082-025-08310-0

Toward characterization and assessment of MoS2 fundamental device properties by photoluminescence

Auteurs: Thomas Nuytten, Albert Minj, Stefanie Sergeant, Quentin Smets, Steven Brems, Pawan Kumar, Souvik Ghosh, Tom Schram, Sreetama Banerjee, Anastasiia Kruv, Dennis van Dorp, Benjamin Groven, Pierre Morin
Publié dans: Materials Science in Semiconductor Processing, Numéro 193, 2025, ISSN 1369-8001
Éditeur: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.MSSP.2025.109489

Graphene-PbS quantum dot hybrid photodetectors from 200 mm wafer scale processing

Auteurs: Sha Li, Zhenxing Wang, Bianca Robertz, Daniel Neumaier, Oihana Txoperena, Aranzazu Maestre, Amaia Zurutuza, Chris Bower, Ashley Rushton, Yinglin Liu, Chris Harris, Alexander Bessonov, Surama Malik, Mark Allen, Ivonne Medina-Salazar, Tapani Ryhänen, Max C. Lemme
Publié dans: Scientific Reports, Numéro 15, 2025, ISSN 2045-2322
Éditeur: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/S41598-025-96207-Z

Nature Communications

Auteurs: Bárbara Canto; Martin Otto; Arantxa Maestre; Alba Centeno; Amaia Zurutuza; Bianca Robertz; Eros Reato; Bartos Chmielak; Stefanie L. Stoll; Andreas Hemmetter; Florian Schlachter; Lisa Ehlert; Sha Li; Daniel Neumaier; Gordon Rinke; Zhenxing Wang; Max C. Lemme
Publié dans: Nature Communications, 2025, ISSN 2041-1723
Éditeur: NATURE PORTFOLIO
DOI: 10.18154/RWTH-2025-01703

Conference proceedings (1)

Addressing Key Process Roadblocks to Enable Epitaxial MX2 and Layer Transfer in a 300mm Fab

Auteurs: Addressing Key Process Roadblocks to Enable Epitaxial MX2 and Layer Transfer in a 300mm Fab
Publié dans: VLSI TSA, 2025, ISSN 2473-2001
Éditeur: IEEE
DOI: 10.1109/VLSITSA64674.2025.11046891