2D-Pilot Line

Informazioni relative al progetto

2D-PL

ID dell’accordo di sovvenzione: 101189797

DOI

10.3030/101189797

Data della firma CE 8 Novembre 2024

Data di avvio 1 Ottobre 2024

Data di completamento 30 Settembre 2028

Finanziato da

• Digital, Industry and Space

Costo totale

€ 32 997 565,75

Contributo UE

€ 32 997 565,75

Coordinato da

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM
Belgium

CORDIS fornisce collegamenti ai risultati finali pubblici e alle pubblicazioni dei progetti ORIZZONTE.

I link ai risultati e alle pubblicazioni dei progetti del 7° PQ, così come i link ad alcuni tipi di risultati specifici come dataset e software, sono recuperati dinamicamente da .OpenAIRE .

Pubblicazioni

Peer reviewed articles (8)

Contact Resistance Optimization in MoS₂ Field-Effect Transistors through Reverse Sputtering-Induced Structural Modifications

Autori: Yuan Fa; Agata Piacentini; Bart Macco; Holger Kalisch; Michael Heuken; Andrei Vescan; Zhenxing Wang; Max C. Lemme
Pubblicato in: ACS Applied Materials & Interfaces, 2025, ISSN 1944-8252
Editore: American Chemical Society
DOI: 10.48550/ARXIV.2412.08663

Nanoscale spectroscopic investigation of impact of strain on field-effect mobility of WS₂

Autori: Fateme Yekefalah, Thomas Nuytten, Kaustuv Banerjee, Pawan Kumar, Benjamin Groven, Claudia Fleischmann, Ingrid De Wolf
Pubblicato in: Nanotechnology, Numero 36, 2025, ISSN 0957-4484
Editore: IOP Publishing
DOI: 10.1088/1361-6528/ADDACC

Optimizing Graphene Ring Modulators: A Comparative Study of Straight, Bent, and Racetrack Geometries

Autori: Pawan Kumar Dubey; Ashraful Islam Raju; Rasuole Lukose; Christian Wenger; Mindaugas Lukosius
Pubblicato in: Nanomaterials, 2025, ISSN 2079-4991
Editore: MDPI
DOI: 10.3390/NANO15151158

Plasma-enhanced atomic layer deposition of Al2O3 on graphene via an in situ-deposited interlayer

Autori: Riazimehr, Sarah; Esteki, Ardeshir; Otto, Martin; Powell, Michael; Rinke, Gordon; Robertz, Bianca; Wang, Zhenxing; Lemme, Max C.; Hore, Katie; Knoops, Harm
Pubblicato in: Materials Science in Semiconductor Processing, 2025, ISSN 1873-4081
Editore: ELSEVIER SCI LTD
DOI: 10.2139/SSRN.5236560

Optimized silicon nitride-spaced graphene electro-optic modulator with high efficiency and bandwidth

Autori: Ashraful Islam Raju; Pawan Kumar Dubey; Rasuole Lukose; Christian Wenger; Andreas Mai; Mindaugas Lukosius
Pubblicato in: Optical and Quantum Electronics, 2025, ISSN 1572-817X
Editore: SPRINGER NATURE
DOI: 10.1007/S11082-025-08310-0

Toward characterization and assessment of MoS2 fundamental device properties by photoluminescence

Autori: Thomas Nuytten, Albert Minj, Stefanie Sergeant, Quentin Smets, Steven Brems, Pawan Kumar, Souvik Ghosh, Tom Schram, Sreetama Banerjee, Anastasiia Kruv, Dennis van Dorp, Benjamin Groven, Pierre Morin
Pubblicato in: Materials Science in Semiconductor Processing, Numero 193, 2025, ISSN 1369-8001
Editore: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.MSSP.2025.109489

Graphene-PbS quantum dot hybrid photodetectors from 200 mm wafer scale processing

Autori: Sha Li, Zhenxing Wang, Bianca Robertz, Daniel Neumaier, Oihana Txoperena, Aranzazu Maestre, Amaia Zurutuza, Chris Bower, Ashley Rushton, Yinglin Liu, Chris Harris, Alexander Bessonov, Surama Malik, Mark Allen, Ivonne Medina-Salazar, Tapani Ryhänen, Max C. Lemme
Pubblicato in: Scientific Reports, Numero 15, 2025, ISSN 2045-2322
Editore: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/S41598-025-96207-Z

Nature Communications

Autori: Bárbara Canto; Martin Otto; Arantxa Maestre; Alba Centeno; Amaia Zurutuza; Bianca Robertz; Eros Reato; Bartos Chmielak; Stefanie L. Stoll; Andreas Hemmetter; Florian Schlachter; Lisa Ehlert; Sha Li; Daniel Neumaier; Gordon Rinke; Zhenxing Wang; Max C. Lemme
Pubblicato in: Nature Communications, 2025, ISSN 2041-1723
Editore: NATURE PORTFOLIO
DOI: 10.18154/RWTH-2025-01703

Conference proceedings (1)

Addressing Key Process Roadblocks to Enable Epitaxial MX2 and Layer Transfer in a 300mm Fab

Autori: Addressing Key Process Roadblocks to Enable Epitaxial MX2 and Layer Transfer in a 300mm Fab
Pubblicato in: VLSI TSA, 2025, ISSN 2473-2001
Editore: IEEE
DOI: 10.1109/VLSITSA64674.2025.11046891