2D-Pilot Line

Información del proyecto

2D-PL

Identificador del acuerdo de subvención: 101189797

DOI

10.3030/101189797

Fecha de la firma de la CE 8 Noviembre 2024

Fecha de inicio 1 Octubre 2024

Fecha de finalización 30 Septiembre 2028

Financiado con arreglo a

• Digital, Industry and Space

Coste total

€ 32 997 565,75

Aportación de la UE

€ 32 997 565,75

Coordinado por

INTERUNIVERSITAIR MICRO-ELECTRONICA CENTRUM
Belgium

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Publicaciones

Peer reviewed articles (8)

Contact Resistance Optimization in MoS₂ Field-Effect Transistors through Reverse Sputtering-Induced Structural Modifications

Autores: Yuan Fa; Agata Piacentini; Bart Macco; Holger Kalisch; Michael Heuken; Andrei Vescan; Zhenxing Wang; Max C. Lemme
Publicado en: ACS Applied Materials & Interfaces, 2025, ISSN 1944-8252
Editor: American Chemical Society
DOI: 10.48550/ARXIV.2412.08663

Nanoscale spectroscopic investigation of impact of strain on field-effect mobility of WS₂

Autores: Fateme Yekefalah, Thomas Nuytten, Kaustuv Banerjee, Pawan Kumar, Benjamin Groven, Claudia Fleischmann, Ingrid De Wolf
Publicado en: Nanotechnology, Edición 36, 2025, ISSN 0957-4484
Editor: IOP Publishing
DOI: 10.1088/1361-6528/ADDACC

Optimizing Graphene Ring Modulators: A Comparative Study of Straight, Bent, and Racetrack Geometries

Autores: Pawan Kumar Dubey; Ashraful Islam Raju; Rasuole Lukose; Christian Wenger; Mindaugas Lukosius
Publicado en: Nanomaterials, 2025, ISSN 2079-4991
Editor: MDPI
DOI: 10.3390/NANO15151158

Plasma-enhanced atomic layer deposition of Al2O3 on graphene via an in situ-deposited interlayer

Autores: Riazimehr, Sarah; Esteki, Ardeshir; Otto, Martin; Powell, Michael; Rinke, Gordon; Robertz, Bianca; Wang, Zhenxing; Lemme, Max C.; Hore, Katie; Knoops, Harm
Publicado en: Materials Science in Semiconductor Processing, 2025, ISSN 1873-4081
Editor: ELSEVIER SCI LTD
DOI: 10.2139/SSRN.5236560

Optimized silicon nitride-spaced graphene electro-optic modulator with high efficiency and bandwidth

Autores: Ashraful Islam Raju; Pawan Kumar Dubey; Rasuole Lukose; Christian Wenger; Andreas Mai; Mindaugas Lukosius
Publicado en: Optical and Quantum Electronics, 2025, ISSN 1572-817X
Editor: SPRINGER NATURE
DOI: 10.1007/S11082-025-08310-0

Toward characterization and assessment of MoS2 fundamental device properties by photoluminescence

Autores: Thomas Nuytten, Albert Minj, Stefanie Sergeant, Quentin Smets, Steven Brems, Pawan Kumar, Souvik Ghosh, Tom Schram, Sreetama Banerjee, Anastasiia Kruv, Dennis van Dorp, Benjamin Groven, Pierre Morin
Publicado en: Materials Science in Semiconductor Processing, Edición 193, 2025, ISSN 1369-8001
Editor: Elsevier BV
DOI: 10.1016/J.MSSP.2025.109489

Graphene-PbS quantum dot hybrid photodetectors from 200 mm wafer scale processing

Autores: Sha Li, Zhenxing Wang, Bianca Robertz, Daniel Neumaier, Oihana Txoperena, Aranzazu Maestre, Amaia Zurutuza, Chris Bower, Ashley Rushton, Yinglin Liu, Chris Harris, Alexander Bessonov, Surama Malik, Mark Allen, Ivonne Medina-Salazar, Tapani Ryhänen, Max C. Lemme
Publicado en: Scientific Reports, Edición 15, 2025, ISSN 2045-2322
Editor: Springer Science and Business Media LLC
DOI: 10.1038/S41598-025-96207-Z

Nature Communications

Autores: Bárbara Canto; Martin Otto; Arantxa Maestre; Alba Centeno; Amaia Zurutuza; Bianca Robertz; Eros Reato; Bartos Chmielak; Stefanie L. Stoll; Andreas Hemmetter; Florian Schlachter; Lisa Ehlert; Sha Li; Daniel Neumaier; Gordon Rinke; Zhenxing Wang; Max C. Lemme
Publicado en: Nature Communications, 2025, ISSN 2041-1723
Editor: NATURE PORTFOLIO
DOI: 10.18154/RWTH-2025-01703

Conference proceedings (1)

Addressing Key Process Roadblocks to Enable Epitaxial MX2 and Layer Transfer in a 300mm Fab

Autores: Addressing Key Process Roadblocks to Enable Epitaxial MX2 and Layer Transfer in a 300mm Fab
Publicado en: VLSI TSA, 2025, ISSN 2473-2001
Editor: IEEE
DOI: 10.1109/VLSITSA64674.2025.11046891