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Contenuto archiviato il 2024-06-18

Towards Enhanced III-V Tunnel Transistors

Obiettivo

"Tunnel transistors are currently considered promising candidates for future low-power high performance information processing applications. The proposed project TETTRA – Towards Enhanced III-V Tunnel TRAnsistors – is dedicated to the fabrication and characterization of III-V nanowire tunnel field-effect transistors (FETs). III-V semiconductor heterostructure nanowires, grown on Si substrates by means of the selective-area-epitaxy method, serve as basis for the tunnel FETs. The project concentrates on n-type tunnel FETs and furthermore focuses on one specific realization with regard to the choice of materials involved; i.e. n-type tunnel FETs consisting of a p-type GaSb source, an InxGa1-xAs channel, and an n-type InAs drain. This sequence of III-V materials is grown in the form of vertical heterostructure nanowires directly on silicon substrates, with InAs being in contact with the substrate and GaSb forming the nanowire tip. The heterostructure nanowires are then processes into vertical, gate-all-around tunnel FETs. The fabrication of the nanowire heterostructure and the processing of the III-V nanowire tunnel represent one of two main objectives of the project. Investigations on the growth of GaSb on InxGa1-xAs, on the p-doping of GaSb, and on metal contacts to GaSb are preceding the tunnel FET fabrication. The second objective of the project comprises the electrical characterization of the nanowire-oxide interface properties and the electrical characterization of III-V tunnel FETs. For characterizing the nanowire-oxide interface properties two independent techniques will be employed: capacitance-voltage measurements and the charge-pumping technique. Both deliver the interface trap level density, Dit, and both have been demonstrated to be applicable to single nanowire capacitors and FETs, respectively. Characterization is complemented by detailed investigations of the electrical properties of the III-V nanowire tunnel FETs."

Campo scientifico (EuroSciVoc)

CORDIS classifica i progetti con EuroSciVoc, una tassonomia multilingue dei campi scientifici, attraverso un processo semi-automatico basato su tecniche NLP. Cfr.: https://op.europa.eu/it/web/eu-vocabularies/euroscivoc.

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Argomento(i)

Gli inviti a presentare proposte sono suddivisi per argomenti. Un argomento definisce un’area o un tema specifico per il quale i candidati possono presentare proposte. La descrizione di un argomento comprende il suo ambito specifico e l’impatto previsto del progetto finanziato.

Invito a presentare proposte

Procedura per invitare i candidati a presentare proposte di progetti, con l’obiettivo di ricevere finanziamenti dall’UE.

FP7-PEOPLE-2011-IEF
Vedi altri progetti per questo bando

Meccanismo di finanziamento

Meccanismo di finanziamento (o «Tipo di azione») all’interno di un programma con caratteristiche comuni. Specifica: l’ambito di ciò che viene finanziato; il tasso di rimborso; i criteri di valutazione specifici per qualificarsi per il finanziamento; l’uso di forme semplificate di costi come gli importi forfettari.

MC-IEF - Intra-European Fellowships (IEF)

Coordinatore

IBM RESEARCH GMBH
Contributo UE
€ 184 709,40
Indirizzo
SAEUMERSTRASSE 4
8803 RUESCHLIKON
Svizzera

Mostra sulla mappa

Regione
Schweiz/Suisse/Svizzera Nordwestschweiz Aargau
Tipo di attività
Private for-profit entities (excluding Higher or Secondary Education Establishments)
Collegamenti
Costo totale

I costi totali sostenuti dall’organizzazione per partecipare al progetto, compresi i costi diretti e indiretti. Questo importo è un sottoinsieme del bilancio complessivo del progetto.

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