CORDIS oferuje możliwość skorzystania z odnośników do publicznie dostępnych publikacji i rezultatów projektów realizowanych w ramach programów ramowych HORYZONT.
Odnośniki do rezultatów i publikacji związanych z poszczególnymi projektami 7PR, a także odnośniki do niektórych konkretnych kategorii wyników, takich jak zbiory danych i oprogramowanie, są dynamicznie pobierane z systemu OpenAIRE .
Rezultaty
Recruitment of researchers Aim to hire 30 female if possible
Entrepreneurial course (odnośnik otworzy się w nowym oknie)Organize entrepreneurial course for students.
Development of surface passivation
Optically pumped SiGe laser (odnośnik otworzy się w nowym oknie)Observation of optically pumped lasing in Hex-SiGe as a function of temperature
Strain dependent PL, TeraHertz (odnośnik otworzy się w nowym oknie)Insight into the factors determining the optical properties of HexSiGe
CMOS compatible Hex-SiGe (odnośnik otworzy się w nowym oknie)Report on CMOS compatible Hex-SiGe layers
SiGe nanoLED (odnośnik otworzy się w nowym oknie)Demonstration of an electrically pumped Hex-SiGe LED
Theory (odnośnik otworzy się w nowym oknie)Calculation of the band gap energy and optical transition matrix elements as a function of HexSiGe composition
p-n junction in Hex SiGe (odnośnik otworzy się w nowym oknie)Radial/axial impurity p and n-type doping and demonstration of a p-n junction
WZ substrates (odnośnik otworzy się w nowym oknie)Growth of catalystfree HexSiGe substrate
Synthesis of Hex-SiGe (odnośnik otworzy się w nowym oknie)Synthesis of HexSixGe1x including structural and chemical analyses
Terahertz conductivity (odnośnik otworzy się w nowym oknie)Terahertz conductivity measurements on doped HexSiGe NWs
Verification direct bandgap (odnośnik otworzy się w nowym oknie)Measurement of the basic optical properties of HexSiGe Verification direct bandgap
Continued optimization synthesis (odnośnik otworzy się w nowym oknie)Continued optimization of synthesis and analysis for WP2,3,4,5.
Annual technical Report (odnośnik otworzy się w nowym oknie)Technical report related to the Technical Action Check Meeting in M14
Lattice parameters (odnośnik otworzy się w nowym oknie)Measured lattice parameters including lattice strain as a function of HexSiGe composition
Nanolaser Modelling (odnośnik otworzy się w nowym oknie)Calculation of the gain spectrum
Scientific action check meeting 1 (odnośnik otworzy się w nowym oknie)Date 14 feb 2019AgendaOpening agendaIntroduction by coordinator WP6All presentations should discuss the status of milestones and deliverablesPresentation on HexSiGe synthesis TUe WP1Presentation on measurements of the lattice parameters and strain distribution JKU WP1Presentation on theoretical calculation on the properties of HexSiGe Jena WP1Presentation on the optical properties of Hex SiGe TUe TUM UOXF WP2Presentation on TeraHertz conductivity measurements and doping UOXF TUe WP3Presentation on surface passivation and ohmic contatcs IBM WP4Presentation on WZ substrates and CMOS integration IBM TUe WP5Agreements for the next yearAmendments to the project
Data Management Plan Report (odnośnik otworzy się w nowym oknie)Report on the implementation of the data management plan
Spontaneous emission dynamics (odnośnik otworzy się w nowym oknie)Measurements of the spontaneous emission dynamics in Hex-SiGe NWs
Final technical/ scientific review meeting documents (odnośnik otworzy się w nowym oknie)Date: 24-8-2021 Opening, agenda Introduction by coordinator (WP6) All presentations should discuss the status of milestones and deliverables Presentation on Hex-SiGe synthesis (TU/e, WP1) Presentation on measurements of the lattice parameters and strain distribution (JKU, WP1) Presentation on theoretical calculation on the properties of Hex-SiGe (Jena, WP1) Presentation on the optical properties of Hex SiGe (TU/e, TUM, UOXF, WP2) Presentation on TeraHertz conductivity measurements and doping (UOXF, TU/e, WP3) Presentation on p-n junction (IBM, WP3) Presentation on the electrically pumped Hex-SiGe nanolaser (TUM) Presentation on WZ substrates and Vitual Hex-SiGe substrates (IBM, TU/e, WP5) Final conclusions of the project and follow-up Closure
Strain dependent PL (odnośnik otworzy się w nowym oknie)We intend to show to extend the tuning range of hex-SiGe from the present 1-8-3.5 micron further into the infrared
Technical action check meeting (odnośnik otworzy się w nowym oknie)Date 1522018Opening agendaIntroduction by coordinator WP6All presentations should discuss the status of milestones and deliverablesPresentation on HexSiGe synthesis TUe WP1Presentation on measurements of the lattice parameters and strain distribution JKU WP1Presentation on theoretical calculation on the properties of HexSiGe Jena WP1Presentation on the optical properties of Hex SiGe TUe TUM UOXF WP2Presentation on TeraHertz conductivity measurements UOXF WP3Presentation on surface passivation IBM WP4Presentation on steps towards CMOS integration IBM TUe WP5Agreements for the next yearAmendments to the projectClosure
Ohmic contact formation (odnośnik otworzy się w nowym oknie)Ohmic contact formation on p and n-type Hex SiGe
Electrically pumped nanolaser (odnośnik otworzy się w nowym oknie)Originally: Performance characteristics of an electrically pumped Hex-SiGe nanolaser Amendment: We will submit the outcome of a defect study.
Set up project website for deliverablesProject logo ready
Publikacje
Autorzy:
Suckert, Jens René; Rödl, Claudia; Furthmüller, Jürgen; Bechstedt, Friedhelm; Botti, Silvana
Opublikowane w:
Phys.Rev.Materials, Numer 5(2), 2021, Strona(/y) 024602, ISSN 2475-9953
Wydawca:
American Physical Society
DOI:
10.1103/physrevmaterials.5.024602
Autorzy:
Diego de Matteis, Marta De Luca, Elham M. T. Fadaly, Marcel A. Verheijen, Miquel López-Suárez, Riccardo Rurali, Erik P. A. M. Bakkers, Ilaria Zardo
Opublikowane w:
ACS Nano, Numer 14/6, 2020, Strona(/y) 6845-6856, ISSN 1936-0851
Wydawca:
American Chemical Society
DOI:
10.1021/acsnano.0c00762
Autorzy:
Pedro Borlido, Miguel A. L. Marques, Silvana Botti
Opublikowane w:
The Journal of Physical Chemistry C, Numer 125/11, 2021, Strona(/y) 6298-6305, ISSN 1932-7447
Wydawca:
American Chemical Society
DOI:
10.1021/acs.jpcc.0c10753
Autorzy:
Philipp Staudinger, Svenja Mauthe, Noelia Vico Triviño, Steffen Reidt, Kirsten E Moselund and Heinz Schmid
Opublikowane w:
Nanotechnology, Numer 32 (7), 2020, Strona(/y) 075605, ISSN 0957-4484
Wydawca:
Institute of Physics Publishing
DOI:
10.1088/1361-6528/abbb4e
Autorzy:
Michael S. Seifner, Alain Dijkstra, Johannes Bernardi, Andreas Steiger-Thirsfeld, Masiar Sistani, Alois Lugstein, Jos E. M. Haverkort, Sven Barth
Opublikowane w:
ACS Nano, Numer 13/7, 2019, Strona(/y) 8047-8054, ISSN 1936-0851
Wydawca:
American Chemical Society
DOI:
10.1021/acsnano.9b02843
Autorzy:
Philipp Staudinger, Svenja Mauthe, Kirsten E. Moselund, Heinz Schmid
Opublikowane w:
Nano Letters, Numer 18/12, 2018, Strona(/y) 7856-7862, ISSN 1530-6984
Wydawca:
American Chemical Society
DOI:
10.1021/acs.nanolett.8b03632
Autorzy:
Claudia Rödl, Jürgen Furthmüller, Jens Renè Suckert, Valerio Armuzza, Friedhelm Bechstedt, Silvana Botti
Opublikowane w:
Physical Review Materials, Numer 3/3, 2019, Strona(/y) 034602, ISSN 2475-9953
Wydawca:
American Institute of Physics
DOI:
10.1103/physrevmaterials.3.034602
Autorzy:
Philipp Staudinger, Kirsten E. Moselund, Heinz Schmid
Opublikowane w:
Nano Letters, Numer 20/1, 2019, Strona(/y) 686-693, ISSN 1530-6984
Wydawca:
American Chemical Society
DOI:
10.1021/acs.nanolett.9b04507
Autorzy:
Christopher L. Davies, Jay B. Patel, Chelsea Q. Xia, Laura M. Herz, Michael B. Johnston
Opublikowane w:
Journal of Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves, Numer 39/12, 2018, Strona(/y) 1236-1248, ISSN 1866-6892
Wydawca:
Springer Verlag
DOI:
10.1007/s10762-018-0538-7
Autorzy:
Elham M. T. Fadaly, Alain Dijkstra, Jens Renè Suckert, Dorian Ziss, Marvin A. J. van Tilburg, Chenyang Mao, Yizhen Ren, Victor T. van Lange, Ksenia Korzun, Sebastian Kölling, Marcel A. Verheijen, David Busse, Claudia Rödl, Jürgen Furthmüller, Friedhelm Bechstedt, Julian Stangl, Jonathan J. Finley, Silvana Botti, Jos E. M. Haverkort, Erik P. A. M. Bakkers
Opublikowane w:
Nature, Numer 580/7802, 2020, Strona(/y) 205-209, ISSN 0028-0836
Wydawca:
Nature Publishing Group
DOI:
10.1038/s41586-020-2150-y
Autorzy:
Kun Peng, Dimitars Jevtics, Fanlu Zhang, Sabrina Sterzl, Djamshid A. Damry, Mathias U. Rothmann, Benoit Guilhabert, Michael J. Strain, Hark H. Tan, Laura M. Herz, Lan Fu, Martin D. Dawson, Antonio Hurtado, Chennupati Jagadish, Michael B. Johnston
Opublikowane w:
Science, Numer 368/6490, 2020, Strona(/y) 510-513, ISSN 0036-8075
Wydawca:
American Association for the Advancement of Science
DOI:
10.1126/science.abb0924
Autorzy:
Christian Grossauer, Vaclav Holy, Gunther Springholz
Opublikowane w:
Physical Review B, Numer 102/7, 2020, Strona(/y) 075420 1-13, ISSN 2469-9950
Wydawca:
American Physical Society
DOI:
10.1103/physrevb.102.075420
Autorzy:
Elham M. T. Fadaly, Anna Marzegalli, Yizhen Ren, Lin Sun, Alain Dijkstra, Diego de Matteis, Emilio Scalise, Andrey Sarikov, Marta De Luca, Riccardo Rurali, Ilaria Zardo, Jos E. M. Haverkort, Silvana Botti, Leo Miglio, Erik P. A. M. Bakkers, Marcel A. Verheijen
Opublikowane w:
Nano Letters, Numer 21/8, 2021, Strona(/y) 3619-3625, ISSN 1530-6984
Wydawca:
American Chemical Society
DOI:
10.1021/acs.nanolett.1c00683?rel=cite-as&ref=pdf&jav=vor
Autorzy:
Lin Sun; Mário R. G. Marques; Miguel A. L. Marques; Silvana Botti
Opublikowane w:
Phys Rev Mat, Numer 5(2), 2021, Strona(/y) 064605, ISSN 2475-9953
Wydawca:
American Physical Society
DOI:
10.1103/physrevmaterials.5.064605
Autorzy:
Yizhen Ren, Philipp Leubner, Marcel A Verheijen, Jos E M Haverkort, Erik P A M Bakkers
Opublikowane w:
Nanotechnology, Numer 30/29, 2019, Strona(/y) 295602, ISSN 0957-4484
Wydawca:
Institute of Physics Publishing
DOI:
10.1088/1361-6528/ab0d46
Prawa własności intelektualnej
Numer wniosku/publikacji:
US
TUE-284
Data:
2019-02-18
Wnioskodawca/wnioskodawcy:
FRIEDRICH-SCHILLER-UNIVERSITÄT JENA
Numer wniosku/publikacji:
US
TUE-284
Data:
2019-02-18
Wnioskodawca/wnioskodawcy:
TECHNISCHE UNIVERSITEIT EINDHOVEN
Numer wniosku/publikacji:
US
TUE-284
Data:
2019-02-18
Wnioskodawca/wnioskodawcy:
FRIEDRICH-SCHILLER-UNIVERSITÄT JENA
Numer wniosku/publikacji:
US
TUE-284
Data:
2019-02-18
Wnioskodawca/wnioskodawcy:
TECHNISCHE UNIVERSITEIT EINDHOVEN
Wyszukiwanie danych OpenAIRE...
Podczas wyszukiwania danych OpenAIRE wystąpił błąd
Brak wyników